| 型号：IPW65R070C6 | 类别：FET - 单 | 制造商：Infineon Technologies |
| 封装：TO-247-3 | 描述：MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247 | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247 |
| 系列 | CoolMOS™ |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 650V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 53.5A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 700 毫欧 @ 17.6A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 3.5V @ 1.76mA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 170nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 3900pF @ 100V |
| 功率_最大 | 391W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商设备封装 | PG-TO247-3 |
| 包装 | 管件 |
供应商
| 深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
| 深圳市科恒伟业电子有限公司 | 柯0755-88917652分机801-83200050 |
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| 深圳市芯珵科技有限公司 | 张先生13316817713 |
| 深圳市金嘉锐电子有限公司 | 朱先生086-0755-22929859 |
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